瑞萨电子推出新型栅极驱动IC用于驱动EV逆变器的IGBT和SiCMOSF

瑞萨电子最近几天宣布推出一款全新的栅极驱动IC—Raj 2930004 AGM，用于驱动电动汽车逆变器的IGBT和SiCMOSFET等高压功率器件。

作为电动汽车逆变器的重要组成部分，栅极驱动ic提供了逆变器控制MCU与为逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET之间的接口它们从低压域的MCU接收控制信号，并将这些信号传输到高压域，以快速开关功率器件为了适应电动汽车电池更高的电压，RAJ2930004AGM内置了3.75kVrms隔离器，比上一代的2.5kVrms隔离器更高，可支持耐压高达1200V V的功率器件，此外，新的驱动ic具有150V/ns以上的CMTI性能，不仅满足了逆变系统所需的高电压和快速开关速度，还带来了可靠的通信和更强的抗扰度新产品在小型SOIC16封装中实现了栅极驱动器的基本功能，是低成本逆变器系统的理想选择

RAJ2930004AGM可与瑞萨IGBT产品和其他制造商的IGBT和碳化硅MOSFET器件一起使用除了适用于牵引逆变器，栅极驱动器IC也非常适合使用功率半导体的各种应用，如汽车充电器和DC/DC转换器为了帮助开发者将其产品快速推向市场，瑞萨推出了xEV逆变器套件解决方案，该解决方案将栅极驱动IC与MCU，IGBT和电源管理IC相结合，并计划在2023年上半年发布包含新栅极驱动IC的版本

RAJ2930004AGM栅极驱动IC的主要特性

隔离能力

耐受隔离电压:3.75kVrms

CMTI:150伏/纳秒

栅极驱动能力

输出峰值电流:10A

保护/故障检测功能

片内有源米勒箝位

软关闭

过电流保护

欠压锁定

故障反馈

工作温度范围:—40至125°c

该产品将通过实现具有成本效益的逆变器来促进电动汽车的采用率，从而将对环境的影响降至最低。

提供信息

RAJ2930004AGM栅极驱动器IC现在可以提供样片，计划2024年第一季度量产。

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